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    你的位置: 首頁 產品中心 光學器件 LGS電光Q開關
    LGS電光Q開關

    這是一種采用LGS(硅酸鎵鑭)晶體設計的新型電光調Q開關。LGS系列Q開關是一種實用的電光器件,可用于中等輸出能量激光器,部分取代DKDP、RTP和LiNbO3等系列Q開關。

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    產品描述

    LGS(La3Ga5SiO14)是一種多功能晶體,三方晶系,與石英同屬32點群。它具有的兩個獨立電光系數,與BBO晶體的電光系數相當。LGS晶體有良好的溫度穩定性,中等的抗光傷閾值,機械強度好。相對而言,它的半波電壓較高,但可通過縱橫比予以調節。所以LGS可以作為一種新的電光晶體,可以補充DKDP和LN晶體的不足,適用于制作中等功率脈沖激光器用的Q開關等一類電光器件。

    產品特性

    波長可達3.2μm

    傳輸波前失真<l/4

    損傷閾值>900MW/cm2

    LGS可部分取代DKDP、RTP和LiNbO3等系列Q開關。

    技術參數

    科瑞思創提供:

    晶體尺寸

    2?x?2?- 8 x?8 mm

    外殼尺寸

    20-35 mm

    通光孔徑

    8mm-20mm

    消光比

    >500:1

    透過畸變

    <λ/6 @?633nm

    整體透過率

    >98%?@?1064nm

    電極間隔離性

    <1

    光潔度

    20-10 (膜后40-20)

    電容

    8?pF

    鍍膜AR

    AR/AR @?1064nm?(R<0.2%)

    損傷閾值

    900MW/cm2?@1064nm?10ns 10Hz?

    備注:以上參數為參考數據,具體產品技術要求請聯系銷售人員確認。

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  • 中森玲子